Dispositif à semi-conducteur et son procédé de fabrication

Semiconductor device and method for producing the same

半导体器件及其制造方法

Abstract

L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comportant des trous de contact double et son procédé de fabrication. Le procédé comprend : la formation de régions de source/drain (210) et d'une structure de grille factice sur un substrat semi-conducteur (200) ; le dépôt d'une première couche diélectrique intermédiaire (280) ; l'aplanissement de la première couche diélectrique intermédiaire pour exposer une grille factice de la structure de grille factice ; le retrait de la grille factice et le dépôt d'une grille en métal (220) ; la formation de premiers trous de contact de source/drain (240) dans la première couche diélectrique intermédiaire ; le dépôt d'une seconde couche diélectrique intermédiaire (380) sur la première couche diélectrique intermédiaire ; la formation de seconds trous de contact de source/drain (340) et d'un trou de contact de grille (330) dans la seconde couche diélectrique intermédiaire.
A semiconductor device with dual-contacting holes and a method for producing the same are provided. The method comprises: forming source/drain regions (210) and a dummy gate structure on a semiconductor substrate (200); depositing a first inter-layer dielectric layer (280); planarizing the first inter-layer dielectric layer to expose a dummy gate of the dummy gate structure; removing the dummy gate and depositing a metal gate (220); forming first source/drain contacting holes (240) in the first inter-layer dielectric layer; depositing a second inter-layer dielectric layer (380) on the first inter-layer dielectric layer; forming second source/drain contacting holes (340) and a gate contacting hole (330) in the second inter-layer dielectric layer.

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